Technologie HJT 2.0Combinant le processus de getter et la technologie uc-Si simple face pour garantir une efficacité cellulaire plus élevée et une puissance de module plus élevée.-0,26%C Coefficient de température PmaxPerformances de production d'énergie plus stables et climat chaud encore meilleur.Conception SMBB avec technologie Half-CutDistance de transmission de courant plus courte, moins de perte résistive et efficacité cellulaire plus élevée.Jusqu'à 90% de bifaceStructure bifaciale symétrique naturelle apportant plus de rendement énergétique par l'arrière.Scellement avec du mastic à base de PIBRésistance à l'eau plus forte, plus grande imperméabilité à l'air pour prolonger la durée de vie du module.

Technologie HJT 2.0 Combinant le processus de getter et la technologie uc-Si simple face pour garantir une efficacité cellulaire plus élevée et une puissance de module plus élevée. -0,26%C Coefficient de température Pmax Performances de production d'énergie plus stables et climat chaud encore meilleur. Conception SMBB avec technologie Half-Cut Distance de transmission de courant plus courte, moins de perte résistive et efficacité cellulaire plus élevée. Jusqu'à 90% de biface Structure bifaciale symétrique naturelle apportant plus de rendement énergétique par l'arrière. Scellement avec du mastic à base de PIB Résistance à l'eau plus forte, plus grande imperméabilité à l'air pour prolonger la durée de vie du module.