Technologie HJT 2.0 Combinant le processus de getter et la technologie uc-Si simple face pour garantir une efficacité cellulaire plus élevée et une puissance de module plus élevée. -0,26%C Coefficient de température Pmax Performances de production d'énergie plus stables et climat chaud encore meilleur. Conception SMBB avec technologie Half-Cut Distance de transmission de courant plus courte, moins de perte résistive et efficacité cellulaire plus élevée. Jusqu'à 90% de biface Structure bifaciale symétrique naturelle apportant plus de rendement énergétique par l'arrière. Scellement avec du mastic à base de PIB Résistance à l'eau plus forte, plus grande imperméabilité à l'air pour prolonger la durée de vie du module.

Tolérance de puissance positive (0-+5W) garanti Efficacité de conversion de module élevée (jusqu'à 22,82%) Dégradation de puissance plus lente activé par la technologie Low LID : première année <1%,0,40% années 2-30 Résistance PlD solide par l'optimisation du processus des cellules solaires et une sélection minutieuse de la nomenclature des modules Perte résistive réduite avec un courant de fonctionnement inférieur Rendement énergétique plus élevé avec une température de fonctionnement plus basse Risque de points chauds réduit avec une conception électrique optimisée et un courant de fonctionnement inférieur